Bộ nhớ qlc của Toshiba có độ bền tương đương với tlc

Toshiba sẽ không trải qua thời điểm tốt nhất nhưng đây vẫn là một trong những công ty quan trọng nhất trong thế giới công nghệ. Gã khổng lồ Nhật Bản là một trong những nhà sản xuất bộ nhớ NAND lớn nhất trên toàn thế giới và gần đây đã công bố công nghệ bộ nhớ NAND bốn cấp mới, được gọi là QLC.

Toshiba cải thiện kỳ ​​vọng của ngành về QLC

Bộ nhớ QLC của Toshiba sẽ giúp giảm tỷ lệ giá / lưu trữ của các thiết bị trong tương lai nhờ vào việc tăng mật độ lưu trữ cho mỗi euro được đầu tư. Tuy nhiên, mỗi lần tăng số lượng tế bào gây ra mối quan tâm của người dùng về hiệu suất và độ bền. Điều này là do số lượng trạng thái trên mỗi ô lớn hơn làm tăng các bước điện áp được áp dụng, trong trường hợp bộ nhớ SLC có hai bước điện áp, trong bộ nhớ MLC có bốn bước điện áp, trong TLC có tám bước điện áp và QLC có mười sáu bước điện áp.

Ổ SSD có bộ nhớ TLC vs MLC

Số bước điện áp lớn hơn có xu hướng gây ra các lỗi phổ biến nhất và tuổi thọ của tế bào bị tổn hại do số lượng lớn biến đổi giữa các trạng thái của nó, điều này ngụ ý cần phải sử dụng các kỹ thuật chỉnh sửa mạnh hơn để tránh các vấn đề.

Theo Toshiba, bộ nhớ QLC mới của hãng có khả năng hỗ trợ 1.000 chu kỳ xóa, một con số rất gần với bộ nhớ TLC hiện tại. Với điều này, Toshiba đã cố gắng tăng đáng kể các chu kỳ xóa 100-150 mà ngành công nghiệp mong đợi cho bộ nhớ QLC, một thành tựu cho thấy nỗ lực tuyệt vời mà người Nhật đã bỏ ra.

Toshiba đã bắt đầu gửi cho các đối tác của mình những mẫu đầu tiên của bộ nhớ QLC mới để họ có thể bắt đầu làm việc sớm nhất có thể trên các thiết bị mới triển khai nó. Sản xuất hàng loạt dự kiến ​​sẽ bắt đầu vào cuối năm 2018 hoặc đầu năm 2019.

Nguồn: techpowerup