Qualcomm công bố Snapdragon 835 ở tốc độ 10nm

Qualcomm muốn tăng cường sự dẫn đầu của mình trong thị trường bộ xử lý thiết bị di động và vì lý do này, nó không ngừng hoạt động ở tốc độ tối đa, bộ xử lý sao mới của nó là Snapdragon 835 sẽ xuất hiện vào năm 2017 được sản xuất trong quy trình mới ở 10nm từ Samsung để cung cấp mức độ hiệu quả năng lượng chưa từng thấy trong vũ trụ Android.

Qualcomm Snapdragon 835, siêu vi xử lý mới của tương lai

Bộ xử lý Qualcomm Snapdragon 835 mới sẽ được sản xuất bằng quy trình 10nm FinFET LPE ( Low Power Early ) của Samsung để đạt được hiệu năng ấn tượng trong khi đạt được hiệu quả năng lượng cực lớn để cải thiện tính tự chủ của điện thoại thông minh. Nhờ quy trình sản xuất mới, một con chip mới có thể được cung cấp với hiệu suất cao hơn 27% và mức tiêu thụ năng lượng thấp hơn 40%. Không có chi tiết nào về kiến ​​trúc bên trong của nó được đưa ra nhưng chắc chắn nó sẽ đặt cược vào việc sử dụng lõi Kryo 2.0, có thể có cấu hình 8 lõi được chia thành hai cụm, một giải pháp rất giống với Snapdragon 820 nhưng nhân đôi số lõi của từng cụm.

Chúng tôi khuyên bạn nên hướng dẫn về các điện thoại thông minh tầm trung và thấp tốt nhất trên thị trường.

Snapdragon 835 này có thể ra mắt tại Đại hội Thế giới Di động năm 2017 và nó chắc chắn sẽ chinh phục các nhà sản xuất điện thoại thông minh chính. Qualcomm đã tuyên bố rằng hiện tại có hơn 200 mô hình đang được phát triển dựa trên Snapdragon 820 và 821.