Samsung từ bỏ công nghệ finfet ở mức 3nm, dự kiến ​​vào năm 2022

Trong sự kiện Samsung Foundry Forum 2018, gã khổng lồ Hàn Quốc đã tiết lộ một loạt cải tiến mới trong công nghệ xử lý của mình nhằm mục đích tính toán hiệu năng cao và các thiết bị được kết nối. Công ty sẽ từ bỏ công nghệ FinFET ở mức 3nm.

Samsung sẽ thay thế FinFET bằng một bóng bán dẫn mới bằng 3nm, tất cả các chi tiết

Lộ trình mới của Samsu ng tập trung vào việc cung cấp cho khách hàng các hệ thống tiết kiệm năng lượng hơn cho các thiết bị nhắm đến nhiều ngành công nghiệp khác nhau. Charlie Bae, phó chủ tịch điều hành và giám đốc bán hàng và tiếp thị cho xưởng đúc, nói: "Xu hướng về một thế giới thông minh hơn, kết nối hơn đang khiến ngành công nghiệp đòi hỏi nhiều hơn về các nhà cung cấp silicon."

Chúng tôi khuyên bạn nên đọc bài đăng của mình trên Samsung sẽ tăng cường khả năng trí tuệ nhân tạo với Bixby 2.0 trên Galaxy Note 9

Công nghệ xử lý tiếp theo của Samsung là Low Power Plus 7nm dựa trên kỹ thuật in khắc EUV, sẽ bước vào giai đoạn sản xuất hàng loạt trong nửa cuối năm nay và sẽ mở rộng trong nửa đầu năm 2019. Bước tiếp theo sẽ là quy trình Thấp. Công suất 5nm sớm sẽ cải thiện hiệu suất năng lượng của 7nm lên một tầm cao mới. Các quy trình này vẫn sẽ dựa trên công nghệ FinFET, cũng như quy trình tiếp theo ở mức 4nm.

Công nghệ FinFET sẽ bị từ bỏ khi chuyển sang quy trình 3nm Gate-All-Surround Early / Plus, dựa trên một loại bóng bán dẫn mới hơn cho phép giải quyết các vấn đề mở rộng vật lý hiện có với FinFET. Vẫn còn một vài năm nữa trước khi quá trình sản xuất này đạt đến 7nm, ước tính đầu tiên chỉ đến năm 2022, mặc dù điều bình thường nhất là có một số chậm trễ liên quan.

Chúng ta đang tiến gần hơn đến giới hạn silicon, ước tính ở mức 1nm, khiến cho việc tiến lên phía trước với các quy trình sản xuất mới trở nên khó khăn hơn và khoảng cách ngày càng nhỏ hơn.

Phông chữ Techspot