Sk hynix thông báo bộ nhớ ddr4 mới chạy 8gb được thực hiện trong 1ynm

Bộ nhớ khổng lồ SK Hynix đã công bố phát triển bộ nhớ DRAM 8Gb 1Ynm, có nghĩa là nó có thể được sản xuất bằng kỹ thuật in khắc 14nm và 16nm. Con chip mới này giúp cải thiện 20% năng suất so với thế hệ 1Xnm thế hệ trước và cũng cải thiện hơn 15% mức tiêu thụ điện năng.

SK Hynix RAM 1Gnm 8Gb DDR4 mới

SK Hynix 8Gb 1Ynm DDR4 DRAM mới hỗ trợ tốc độ truyền dữ liệu lên tới 3.200 Mbps, công ty cho biết là tốc độ xử lý dữ liệu nhanh nhất trên giao diện DDR4. SK Hynix đã áp dụng sơ đồ 'thời gian 4 pha', sao chép tín hiệu đồng hồ để tăng tốc độ và sự ổn định của truyền dữ liệu.

Chúng tôi khuyên bạn nên đọc bài viết của chúng tôi về RAM Memories có tản nhiệt hoặc không có tản nhiệt

SK Hynix cũng giới thiệu công nghệ " Sense Amp Control " được phát triển nội bộ của mình để giảm mức tiêu thụ điện năng và lỗi dữ liệu. Với công nghệ này, công ty đã có thể cải thiện hiệu suất của bộ khuếch đại cảm giác. SK Hynix đã cải thiện cấu trúc của bóng bán dẫn để giảm khả năng xảy ra lỗi dữ liệu, một thách thức đi kèm với việc giảm công nghệ. Công ty cũng bổ sung một nguồn cung cấp năng lượng thấp cho mạch để tránh tiêu thụ năng lượng không cần thiết.

DRAM DDR4 1Gn và 8Gb này có hiệu suất và mật độ tối ưu cho khách hàng của công ty, theo lời của Phó chủ tịch SK Hynix Sean Kim. SK Hynix có kế hoạch bắt đầu giao hàng từ quý đầu tiên của năm tới để chủ động đáp ứng nhu cầu thị trường. SK Hynix có kế hoạch cung cấp quy trình công nghệ 1Ynm cho máy chủ và PC, sau đó cho các ứng dụng khác như thiết bị di động.

Phông chữ Guru3d