Snapdragon 835 đã lọc các đặc tính của nó: 8 lõi và finfet 10nm

Qualcomm muốn bắt đầu một năm bằng cách tạo ra một cú hích lớn trên thị trường điện thoại thông minh, và không có cách nào tốt hơn là công bố bộ vi xử lý hàng đầu mới của mình. Qualcomm Snapdragon 835 sẽ mang đến một thế hệ thiết bị mới có khả năng hơn bao giờ hết nhờ tám lõi hiệu năng cao và hiệu suất xử lý FinFET 10nm.

Snapdragon 835 sẽ được công bố vào tuần tới tại CES 2017, bộ vi xử lý mới được xây dựng với quy trình FinFET 10nm thế hệ 2 tiên tiến để có một bước nhảy vọt lớn về hiệu quả năng lượng. Nhờ vậy, bộ vi xử lý sẽ tiêu thụ ít hơn 20% so với Snapdragon 820 mặc dù rõ ràng là vượt trội hơn với việc bao gồm tổng cộng tám lõi Kryo 280 được chia thành hai cụm lõi tứ tốc độ 2, 45 GHz và 1, 90 GHz.

Chúng tôi khuyên bạn nên hướng dẫn về các điện thoại thông minh tầm trung và thấp tốt nhất.

Trong phần đồ họa, chúng tôi tìm thấy GPU Adreno 540 để cung cấp hiệu suất tuyệt vời trong các trò chơi video và khả năng tương thích với các API mới nhất như DirectX 12 và Vulkan. Chúng tôi tiếp tục với Hexagon 690 DSP cho phép phát lại nội dung ở độ phân giải 4K và 60 FPS. Thông tin rò rỉ được hoàn thành với kết nối 4G LTE Cat.16 với tốc độ tải xuống tối đa 1.000 Mbps.

Nguồn: videocardz